GaN (Galyum nitrid), güç kaynakları ve şarj cihazlarında giderek daha fazla kullanılan yenilikçi bir yarı iletken malzemedir. Kristal malzeme, geleneksel silikona yüksek performanslı bir alternatiftir. Mükemmel iletkenlik ve yüksek sıcaklıklara direnç sunar, bu nedenle şarj cihazı yalnızca kompakt, hafif ve saklaması kolay olmakla kalmaz, aynı zamanda GaN olmayan şarj cihazlarına kıyasla güç dönüşümü ve çıkışında avantajlara sahiptir.
Neden GaN teknolojisini seçmelisiniz?
Verimli voltaj iletimi ve GaN teknolojisini kullanan şarj cihazlarının daha yüksek frekansları nedeniyle, daha az alan gerektirir, bu da daha yüksek enerji prosesi için daha küçük alanın yeterli olduğu anlamına gelir. Daha az ısı oluşumu da servis ömrünü uzatır.
*60 W Şarj Cihazı ile VARTA Yüksek Hızlı Şarj Cihazının toplam hacmine (GxYxD) dayalı standart dizüstü bilgisayar şarj cihazlarından farklıdır
GaN teknolojisi sayesinde 65 W'a varan yüksek çıkış gücü, VARTA Yüksek Hızlı Şarj Cihazının tüm cihazlarınıza, hatta dizüstü bilgisayarlara bile sabit enerji sağlamasını sağlar! Her gün kullandığınız tüm akıllı cihazlarınızı (dizüstü bilgisayarlar, akıllı telefonlar, tabletler, akıllı saatler, kulaklıklar, hoparlörler ve daha fazlası) tek bir çözümle destekleyen, hareket halindeyken, evde veya ofiste çok yönlü mükemmel bir çözümün keyfini çıkarın!
VARTA Yüksek Hızlı Şarj Cihazı bağımsızlığınızda nasıl devrim yaratacak!
Yenilikçi GaN teknolojisi sayesinde VARTA Yüksek Hızlı Şarj Cihazı 3 cihaza kadar şarj edebilir ve 65 W'a kadar yüksek çıkış gücü sağlayabilir!
Sonuç olarak Yüksek Hızlı Şarj Cihazı, mobil cihazları geleneksel şarj çözümlerinden çok daha yüksek bir şarj hızında şarj edebilir ve ayrıca dizüstü bilgisayarlar gibi yüksek enerji gereksinimi olan cihazları da şarj edebilir!
Bu, VARTA High Speed Charger'ı hareket halindeyken, evde veya ofiste tüm cihazlarınız için çok yönlü mükemmel bir çözüm haline getirir!