GaN (Galijum nitrid) je inovativni poluprovodnički materijal koji se sve više koristi u napajanjima i punjačima. Kristalni materijal je alternativa visokih performansi konvencionalnom silicijumu. Nudi odličnu provodljivost i otpornost na visoke temperature, tako da punjač nije samo kompaktan, lagan i lak za skladištenje, već ima i prednosti u konverziji snage i izlazu u poređenju sa punjačima koji nisu GaN.
Zašto izabrati GaN tehnologiju?
Zbog efikasnog prenosa napona i viših frekvencija punjača koji koriste GaN tehnologiju, potrebno je manje prostora što znači da je manje kućište dovoljno za obradu veće snage. Manje razvijanje toplote takođe produžava radni vek.
*Od standardnih punjača za laptop na osnovu ukupne zapremine (ŠxVxD) punjača od 60 W u odnosu na VARTA Brzi punjač
Velika izlazna snaga do 65 W osnažena GaN tehnologijom omogućava VARTA Brzom punjaču da snabdeva sve vaše uređaje konstantnom energijom – čak i laptopove! Uživajte u savršenom sveobuhvatnom rešenju za putovanja, kuću ili kancelariju koje omogućava svim vašim pametnim uređajima za svakodnevnu upotrebu – laptopovima, pametnim telefonima, tabletima, pametnim satovima, slušalicama, zvučnicima i još mnogo toga sa samo jednim rešenjem!
Kako će VARTA Brzi punjač napraviti revoluciju u vašoj nezavisnosti!
Inovativna GaN tehnologija omogućava VARTA Brzom punjaču punjenje do 3 uređaja uz postizanje velike izlazne snage do 65 W!
Ovo omogućava brzom punjaču da puni mobilne uređaje znatno većom brzinom punjenja od običnih rešenja za punjenje i da dodatno puni uređaje sa visokim energetskim zahtevima kao što su laptopovi!
Ovo čini VARTA Brzi punjač savršenim svestranim rešenjem za sve vaše uređaje, bez obzira da li ste na putovanju, kod kuće ili u kancelariji!