A GaN (gallium-nitrid) egy innovatív félvezető anyag, amelyet egyre inkább használnak a tápegységekben és töltőkben. A kristályos anyag a hagyományos szilícium nagy teljesítményű alternatívája. Kiváló vezetőképességet és magas hőmérsékletekkel szembeni ellenállást kínál, így a töltő nemcsak kompakt, könnyű és könnyen tárolható, hanem előnyei is vannak a teljesítményátalakításban és a kimenetben a nem GaN töltőkhöz képest.
Miért válassza a GaN technológiát?
A GaN technológiát alkalmazó töltők hatékony feszültségátvitele és magasabb frekvenciája miatt kevesebb helyre van szükség, ami azt jelenti, hogy a kisebb ház elegendő a nagyobb teljesítményfeldolgozáshoz. A kevesebb hőfejlődés az élettartamot is növeli.
*Mint a hagyományos laptoptöltők (60 W-os töltő teljes térfogata (SzxMxD) ) és a VARTA High Speed Töltő összehasonlítása alapján
A GaN technológiával felturbózott, akár 65 W-os nagy teljesítmény lehetővé teszi a VARTA nagysebességű töltő számára, hogy minden eszközét állandó energiával lássa el – még a laptopokat is! Élvezze a tökéletes, mindenre kiterjedő megoldást utazáshoz, otthoni vagy irodai használatra, amely lehetővé teszi az összes mindennapi használatú okoseszközét – laptopokat, okostelefonokat, táblagépeket, okosórákat, fülhallgatókat, hangszórókat és még sok mást – egyetlen megoldással!
Hogyan forradalmasítja a VARTA High Speed Töltő a függetlenségedet!
Az innovatív GaN technológia lehetővé teszi, hogy a VARTA High Speed Töltő akár 3 eszközt is feltöltsön, miközben akár 65 W-os nagy teljesítményt is elérhet!
Ez lehetővé teszi a High Speed Töltő számára, hogy a hagyományos töltési megoldásoknál jóval nagyobb töltési sebességgel töltse fel a mobileszközöket, és emellett töltse fel a nagy energiaigényű eszközöket, például laptopokat!
Ez teszi a VARTA High Speed Töltőt tökéletes, mindenre kiterjedő megoldássá minden eszközére, nem számít, hogy utazáshoz, otthonhoz vagy irodához készült!