GaN (Galliumnitrid) är ett innovativt halvledarmaterial som används alltmer i nätaggregat och laddare. Det kristallina materialet är ett högpresterande alternativ till konventionellt kisel. Den erbjuder utmärkt ledningsförmåga och motståndskraft mot höga temperaturer vilket gör att laddaren inte bara är kompakt, lätt och smidig att förvara utan har också fördelar i kraftomvandling och energieffekt jämfört med laddare utan GaN-teknik.
Varför ska du välja GaN teknik?
På grund av effektiv spänningsöverföring och högre frekvenser av laddare som använder GaN-teknik krävs mindre utrymme vilket innebär att mindre hölje är tillräckligt för högre effektbearbetning. Mindre värmeutveckling ökar också livslängden.
*Än standardladdare för bärbara datorer baserat på total volym (BxHxD) på 60 W laddare kontra VARTA High Speed Charger
Den höga energieffekten på upp till 65W med GaN-teknik gör att VARTA High Speed Charger kan förse alla dina enheter med konstant energi – även bärbara datorer! Njut av en perfekt allround-lösning för resor, hemmet eller kontoret som laddar alla dina smarta enheter för dagligt bruk – bärbara datorer, smartphones, surfplattor, smartklockor, hörlurar, högtalare och mer med bara en lösning!
Hur VARTA High Speed Charger kommer att revolutionera din självständighet!
Den innovativa GaN-tekniken gör att VARTA High Speed Charger kan ladda upp till 3 enheter samtidigt som den når en hög energieffekt på upp till 65 W!
Detta gör att VARTA High Speed Charger kan ladda mobila enheter med en betydligt högre laddningshastighet än vanliga laddningslösningar och kan dessutom ladda enheter med höga energikrav såsom bärbara datorer!
Detta gör VARTA High Speed Charger till den perfekta allround-lösningen för alla dina enheter - oavsett om de är på resa, hemma eller på kontoret!